Izici zama-MOSFET athuthukisiwe

AmandlaI-MOSFET is een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" is de Engelse "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" afkorting. Isebenzisa i-vermogen eindtrap apparaat, i-sleutel door het metal material, i-SiO2 ye-SiN kanye ne-halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekeke to the grote worken out of stroom, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau of moredeeld in verbeterde stroom type en licht devolve oververdeeld ngohlobo lwe-N-kanaal en uhlobo lwe-P-kanaal.

Amandla we-MOSFET's word over het algemeen gebruikt voor schakalende voedingscircuits. Ngaphezu kwalokho algemeen kiezenI-MOSFET-fabrikanten ipharamitha ye-RDS(ON) ku-aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; I-RDS(ON) ilungile ngokusetshenziswa kwe-apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Umhlahlandlela Wolwazi Lwedatha echaza i-RDS(ON) ku-relatie tot de bedrijfsspanning van de gate, VGS, en de stroom die door de vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) ihlobene nezibalo ze-gegevensparameter voor voldoende isango lokushayela.

Njengoba i-MOSFET yenziwe nge-schakakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is a lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. I-Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakalende voeding vaak meerdere ORingI-MOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten word gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Ku-veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's ku-serie schakalen zodat de RDS(ON) kabusha kan worden gereduceerd.

I-Naast RDS(ON), lapho icubungula ukukhetha kwe-MOSFET, qiniseka ukuthi ubheka amapharamitha we-MOSFET afaneleka kakhulu noma avule amapharamitha. In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Vele uchaze ngokucacile ukuthi i-SOA isebenza kanjani futhi ifakwe ohlelweni lwe-MOSFET.

Ezinhlotsheni ezingenhla zezimo zomthwalo, ngemva kokulinganisa (noma ukulinganisa) i-voltage enkulu yokusebenza, bese ushiya umkhawulo ka-20% kuya ku-30%, ungacacisa inani elidingekayo elilinganiselwe le-VDS lamanje le-MOSFET. Nakhu okumelwe ukukusho ukuthi, ukuze kube nezindleko ezingcono kakhulu nezici ezishelelayo, ingakhetha ochungechungeni lwamanje lwe-AC diode nama-inductors ekuvaleni ukwakheka kweluphu yokulawula yamanje, ikhiphe amandla e-kinetic wamanje angenisayo ukuze kugcinwe I-MOSFET. yamanje ukalwe kucacile, yamanje kungenziwa enqunywa. Kodwa lapha kufanele kucatshangelwe imingcele emibili: eyodwa inani lamanje ekusebenzeni okuqhubekayo kanye nenani eliphakeme kakhulu le-spike yamanje ye-pulse (Spike and Surge), le mingcele emibili yokunquma ukuthi kufanele ukhethe kangakanani inani elilinganiselwe inani lamanje.